CNT高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。※产品结构高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。1、沉底材料可采用铜......
CNT高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。
高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。
1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;
2、生长腔体采用进口高纯石英管，配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;
3、加热腔体采用进口陶瓷纤维加热器，均温区200mm、对开式结构;
4、密封法兰均采用不锈钢材质，配水冷套，可连续长时间工作;
5、气路系统采用三路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;
6、真空系统采用分子泵机组;
7、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块;
8、可选配RF射频电源模块;
9、气体种类： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6
10、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制，通过PC实时控制和显示相关的实验参数，自动保存实验参数，也可采用手动控制.
11、系统采用集成化设计，控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部，占地面积小。整体安装四个可移动轮子，方便整体移动。
| 参数名称 | 单 位 | 型 号 | ||||||||
| GCVD3-10-12 | GCVD3-15-12 | GCVD3-200-12 | GCVD3-250-12 | GCVD3-300-12 | ||||||
| 额定功率 | KW | 9 | 12 | 15 | 21 | 27 | ||||
| 额定电压 | V | 380 | ||||||||
| 工作温度 | ℃ | 1100 | ||||||||
| 冷态真空度 | Pa | 6x10-4pa | ||||||||
| 加热区长度 | mm | L=900mm | ||||||||
| 恒温区长度 | mm | L=650mm | ||||||||
| 石英管尺寸 | 直径 | Φ100 | Φ150 | Φ200 | Φ250 | 300 | ||||
| 长度 | L=2000(可根据实际需要非标订做)，炉体不移动的为1500mm | |||||||||
| 沉底材料 | 铜箔、石墨等 | |||||||||
| 气路系统 | 3路质量流量计（可拓展多路） | |||||||||
| 炉膛材料 | V | 进口陶瓷纤维 | ||||||||
| 加热元件 | HRE | |||||||||
| 升温速率 | ℃/min | ≤30℃/min | ||||||||
| 控温精度 | ℃ | ±1℃ | ||||||||
| 炉体移动 | 移动距离约600mm（如有需要、需要提出） | |||||||||
| 外形尺寸 | 不配滑轨 | 2000×600×1450 | 2000×650×1500 | 2000×700×1550 | 2000×750×1600 | |||||
| 配滑轨 | 3000×600×1450 | 3000×650×1500 | 3000×700×1550 | 3000×750×1600 | ||||||
| 重 量 | 281kg | 320kg | 370kg | 410kg | 460kg | |||||
| 气路系统 | 采用三路质量流量计、精确控制气体的流量、(可扩展至多路) | |||||||||
| 生长腔体 | 采用进口高纯石英管、配石英支架、方便气体更好的流入 | |||||||||
| 真空系统 | 采用分子泵机组，真空度可达 6x10-4pa | |||||||||
| 加热炉体 | 采用进口的陶瓷纤维，提供一个高温环境。炉体配超静音滑轨、可移动炉体 | |||||||||
| 控制系统 | 采用10寸触摸屏或工控机自动控制，模块采用西门子plc模块，自动手动可随意切换 | |||||||||
| RF射频电源 | 选配 | RF射频电源可降低石墨烯的生长温度。射频频率：13.56MHz功率输出范围：5~500W | ||||||||
| 冷水系统 | 选配 | 采用闭环冷却系统，冷却系统循环压力1.2-1.7(bar)，制冷量 4200K/car/hr，出口温度可调（5-35℃）；冷凝器为翅片结构，水箱容积40L，制冷剂采用环保型。 | ||||||||
| 尾气处理系统 | 选配 | 采用燃烧、喷淋水洗的办法，有效去除PH3、GeH4、B2H6 等气体产生的有毒有害气体 | ||||||||
